WMB025N06LG2 60V n沟道增强模式功率MOSFET
描述
WMB025N06LG2采用Wayon的第二代功率沟槽MOSFET
专门为最小化开机状态而量身定制的技术
电阻,并保持优越的开关性能。这个设备
非常适合于高效率、快速的开关应用。
特性
VDS= 60V, ID = 158A(Silicon Limited)
RDS(on) < 2.8mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 3.8mΩ @ VGS = 4.5V
低门槛收费
100% EAS保证
高速电源开关,逻辑电平
低RDS(上)
应用
硬开关和高速电路
DC / DC转换
SMPS中的同步整流
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