WMB048NV6LG2    65V n沟道增强模式功率MOSFET

描述

WMB048NV6LG2采用Wayon的第二代功率沟槽MOSFET

专门为最小化开机状态而量身定制的技术

电阻，并保持优越的开关性能。这

该器件非常适合于高效率、快速的开关应用。

特性:

VDS = 65V, ID = 95A(Silicon Limited)

RDS(on) < 4.8mΩ @ VGS = 10V

RDS(on) < 7mΩ @ VGS = 4.5V

绿色设备可用

100% EAS保证

高速电源开关，逻辑电平

应用:

同步整流在SMPS

硬开关和高速电路

直流/直流转换器