WMQ048NV6LG2 65V n沟道增强模式功率MOSFET
描述
WMQ048NV6LG2采用了Wayon的第二代功率沟槽MOSFET
专门为最小化开机状态而量身定制的技术
电阻,并保持优越的开关性能。这
该器件非常适合于高效率、快速的开关应用
特性
VDS= 65V, ID = 60A RDS(on) < 5.1 mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 7.6mΩ @ VGS = 4.5V
低RDS(上)
高速电源开关
低门槛收费
100% EAS保证
应用
同步整流在SMPS
硬开关和高速电路
直流/直流转换器
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