WMO15N10T1 100V n沟道增强模式功率MOSFET
描述
WMO15N10T1采用先进的功率沟槽技术
经过特别定制,以减少通态电阻,但
保持卓越的开关性能。
特性
VDS= 100 V, ID = 14.6 A RDS(on) < 100mΩ @ VGS = 10 V
RDS(on) < 110mΩ @ VGS = 4.5V
绿色设备可用
低门槛收费
先进的高电池密度沟槽技术
100% EAS保证
应用:
电源管理交换机
DC / DC转换器
深圳市粤吉电子有限公司
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