WMB115N15HG2 150V n沟道增强模式功率MOSFET
描述
WMB115N15HG2采用Wayon的第二代功率沟槽MOSFET
专门为最小化开机状态而量身定制的技术
电阻,并保持优越的开关性能。这
该器件非常适合于高效率、快速的开关应用。
特性
VDS = 150V, ID = 74A(Silicon Limited)
RDS(on) < 11.5mΩ @ VGS = 10V
低RDS(上)
100% EAS保证
高速电源开关
应用:
电源管理交换机
直流/直流转换器
SMPS中的同步整流
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