WMB125N12LG2 120V n沟道增强模式功率MOSFET
描述
WMB125N12LG2采用了Wayon的第二代POWERTRENCH
MOSFET技术已经特别定制,以减少
通态电阻,并保持卓越的开关性能。
该装置非常适合于高效率、快速的开关应用。
特性
VDS = 120V, ID = 61A(Silicon Limited)
RDS(on) < 12.5mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 17mΩ @ VGS = 4.5V
绿色设备可用
100% EAS保证
为高速平滑切换而优化
应用
电源管理交换机
DC / DC转换器
SMPS中的同步整流
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