WMM037N08HG2 80V n沟道增强模式功率MOSFET
描述
WMM037N08HG2采用Wayon的第二代功率沟槽MOSFET
专门为最小化开机状态而量身定制的技术
电阻,并保持优越的开关性能。这个设备
非常适合于高效率、快速的开关应用。
特性
VDS = 80V, ID = 192A(Silicon Limited)
RDS(on) < 3.7mΩ @ VGS = 10V
高速电源开关
低RDS(上)
低门槛收费
100% EAS保证
应用
同步整流在SMPS
硬开关和高速电路
电动工具
UPS
电动机控制
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