WMM053NV8HGS  85V n沟道增强模式功率MOSFET

描述

WMM053NV8HGS采用Wayon先进的功率沟槽MOSFET

专门为最小化开机状态而量身定制的技术

电阻，并保持优越的开关性能。这

该器件非常适合于高效率、快速的开关应用。

特性

VDS= 85V, ID = 125A(Silicon Limited)

RDS(on) < 5.3mΩ @ VGS = 10V

高速电源开关

低门槛收费

低RDS(上)

100% EAS保证

应用：

电池管理系统

电源管理开关

马达驱动